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氧等离子体处理高阻P型〈100〉硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结构。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达-0.55~-0.88V，比同一环境热氧化制备的SiO2/Si结构平带电压小得多。
氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO2／Si结构平带电压的影响
【摘 要】
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氧等离子体处理高阻P型〈100〉硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结构。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达-0.5
【机 构】
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怀化师专物理系,四川大学物理系,四川大学化学系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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