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氧等离子体处理高阻P型〈100〉硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结构。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功......
用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜.红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm-1,......
氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等......
