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采用垂直无籽晶气相法（VUVG）生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体，对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值（65-3436）吻合，生长出的单晶体{100}和（110）面XRD衍射峰尖锐，无杂峰，且{100}面出现3级衍射峰。晶锭密度为5.74g/cm^3，与理论计算值接近。退火处理后的晶片在1000～7000cm^-1红外波段范围内透过率达到70%。采用VUVG法生长的CdSe单晶体，结晶性能好、结构致