CdSe单晶相关论文
CdSe单晶材料属于8-12μm波段的非线性光学晶体之一，可用于有毒气体侦测、痕量气体探测、毒品探测与稽查等领域，亦可应用于医学诊疗......
用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电......
用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶，其电阻率为10^7Ω.cm量级，电子陷阱浓度为10^8cm^-3量级，且能将注入其中的部分电荷储存起来，分......
硒化镉（CdSe）是一种具有多功能用途的II–VI族化合物半导体材料。CdSe光电性能优异,平均原子序数较大,电阻率较高,载流子迁移寿命积......
本文利用有籽晶的HPVGF法生长了尺寸为∅54 mm×25 mm的高质量CdSe单晶,晶体为纤锌矿结构,(002)和(110)面的XRD摇摆曲线半高宽......
以CdSe晶体光参量振荡器为代表的中红外激光器在生物、医疗和军事等诸多领域有着广泛的应用前景。本文总结了生长CdSe单晶的工艺方......
采用垂直无籽晶气相法（VUVG）生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体，对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华......
采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法（HPVB）生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶。使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶......
