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本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影响。在此基础上研制出了CoCr软磁盘。
对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响及CoCr软盘的研究
【摘 要】
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本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影
【机 构】
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天津大学物理系,天津大学物理系
【出 处】
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信息记录材料
【发表日期】
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1989年2期
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