【摘 要】
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本文涉及的是锑化铟红外探测器及其制造方法。在一片n 型锑化铟衬底上扩散一层p 型材料,层厚为1到5微米,受主浓度很高,为镉或锌提供了极其有效的收集区;并且其浓度达到这样的
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本文涉及的是锑化铟红外探测器及其制造方法。在一片n 型锑化铟衬底上扩散一层p 型材料,层厚为1到5微米,受主浓度很高,为镉或锌提供了极其有效的收集区;并且其浓度达到这样的范围,至使晶格即便有损伤,也不影响探测器的工作。这个膜层薄得能收集到大多数光生载流子。
This article relates to indium antimonide infrared detector and its manufacturing method. A layer of p-type material is diffused on an n-type indium antimonitride substrate with a layer thickness of 1 to 5 μm and a high acceptor concentration provides an extremely effective collection area for cadmium or zinc; and its concentration reaches such a range , So that even if the lattice damage, it does not affect the work of the detector. This film is thin enough to collect the majority of photo-generated carriers.
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