耗尽层相关论文
对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究.在比较3种偏置状态下60 Coγ射线辐照......
通过在中压压敏电阻中加入溶液的方式引入Na+离子，研究不同含量的Na元素对ZnO压敏电阻的电性能影响及其机制，最后得出在生产过程中宜......
本文基于ＮＪＴ的开基区关断过程，提出了ＩＧＢＴ关断瞬态的电荷控制模型，正确描述了阴极处耗尽层扩展区效应及反注入少数载流予效应，推导出关断时电......
ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技......
本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动......
本文提出一种采用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着眼于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的栅下......
在讨论（HgCd）Te探测器耗尽层宽d和光吸收系a的基础上，导出了探测器截止波长的有效Franz－Keldvsh偏低△λce与a、d的关系式，说明了实验测......
建立了被吸附水包围的晶粒与含水蒸气的空气镶嵌于元件内的理论模型，并用Ｍａｘｗａｌｌ－Ｇａｍｅｔｔ理论和有效介质理论给出了描写元件阻湿特性的方程，在考虑了......
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击......
本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模......
研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．
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耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规......
通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管（HeterojuctionBipolarTransistorHBT）的热电耦合特性。在模型中，器件......
对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。
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短沟效应将成为限制ＭＯＳ器件进一步缩小的主要因素。利用求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的变分方法对短沟效应进行了分析，导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺......
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱......
2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控......
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集......
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流......
利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层......
介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技......
岩石中主要元素为Si、Fe、K、Na、Ca等,有的还有U和Th等成分。照射后,对各稀土元素同位素的干扰相当复杂。在岩石的INAA中,为了尽......
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗......
1.变容二极管结构、符号及外形在反向电压作用下的二极管处于截止状态,两边的P型和N型半导体相当于平板电容的两个极板,中间的耗尽......
日本DIN-TEK半导体是日本著名的功率半导体器件供应商,主要供应工业领域、3C消费类领域中AC-DC电源、DC-DC电源、及工控主板等系统......
用多载流子模型分析了D型石英光纤的热极化过程及耗尽层的形成,分析了氢离子注入及钠离子耗尽层的形成。并把正负电荷的交界处类比......
目前使用的两种《电子技术基础》教材对二极管电容效应的讨论有两种不同的结论 ,笔者通过对结电容的形成及结电容充、放电过程的分......
相变存储器在读写速度、功耗、成本、抗辐射性和多级存储方面相较于其他类型存储器具有明显优势,最有可能成为下一代主流半导体存......
低能X射线望远镜是硬X射线调制望远镜卫星的主要载荷之一,探测器采用CCD236.探测器的量子效率会影响能谱拟合和绝对流量,有必要对......
为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温......
固体工艺的迅速发展,出现更多的根本的限制,这将使发展变慢,甚至停止不前。一种限制是肯定无疑的,当我们降低了尺寸,从而降低存储......
在工艺中,我们有时发现Ⅰ_C—Ⅴ_(CE)曲线上翘,大家通称“扫帚形漏电”,见图1。对于形成这种特性曲线的原因,见过几种说法,多认为......
本文报道第一个沟道光电探测器的工作情况。这种仪器能象极高灵敏度的光电容探测器那样工作;用很低的功率(约20微微瓦)就可获得电......
计算了在高反压功率负荷试验的条件下,高反压管3DG400的集电结耗尽层向基区部分扩展的深度。认为在我们的工艺参数下,由于耗尽层的......
本文报导了一种VMOS管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了这种短沟VMOST的阈值电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了VMOS短沟......
本文验证了一种新的噪声源,它是在金属—半导体—金属二极管(即MSM)耗尽层内由漂移载流子的速度波动而引起的。在高电流密度下,当......
在电阻率比较高的P-N结隔离外延中,许多同志都发现一种“自隔离”现象。在SiCl_4中不掺杂或掺杂很少的情况下,外延之后,埋层区之......
在80～350K的温度范围内,已测得n~+-GaAs-非掺杂Ga_(0.6)Al_(0.4)As-n-GaAs电容的电流随电压变化曲线(I-V特性)和电容随电压变化曲线......
Shur等人提出了用Gunn畴的形成来说明GaAs MESFET中的电流饱和效应.本文叙述了基于这种模式的GaAs MESFET等效电路分析表示式,进而......
人们在研究微波单片集成电路时,提出了平面栅条状Schottky结变容管。本文根据“椭圆柱面结耗尽层分析”结果,分析了平面栅条状Sch......
