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报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV
InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点
【摘 要】
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报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系!长春,130023,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子工程系!长春,130023,集成光电子学国家重点联合实验室吉
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1997年02期
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