【摘 要】
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观察和分析了微电子器件ＳｉＯ２介质覆盖层对Ａｌ－Ｃｕ金属化系统可靠性的影响。在１．２×１０６Ａ／ｃｍ２、３００℃、Ｎ２气氛保护的电徙动实验条件下，ＳｉＯ２覆盖层影响着Ａｌ－Ｃｕ膜互连线的形态和晶粒尺寸，使Ａｌ－Ｃｕ膜晶粒尺寸从０．５～１．０１ｍ长大至２～３ｍ；从而有效地
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院,北京工业大学电子工程学系
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观察和分析了微电子器件ＳｉＯ２介质覆盖层对Ａｌ－Ｃｕ金属化系统可靠性的影响。在１．２×１０６Ａ／ｃｍ２、３００℃、Ｎ２气氛保护的电徙动实验条件下，ＳｉＯ２覆盖层影响着Ａｌ－Ｃｕ膜互连线的形态和晶粒尺寸，使Ａｌ－Ｃｕ膜晶粒尺寸从０．５～１．０１ｍ长大至２～３ｍ；从而有效地提高了Ａｌ－Ｃｕ膜的电徙动寿命。
The influence of SiO2 dielectric coating on the reliability of Al-Cu metallization system was observed and analyzed. Under the condition of 1.2 × 106A / cm2, 300 ℃ and N2 atmosphere protection, the SiO2 coating affects the morphology and grain size of Al-Cu film and the grain size of Al-Cu film From 0.5 ~ 1.01m up to 2 ~ 3m; thus effectively increasing the life of Al-Cu film electromigration.
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