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在GaAs集成电路研制中需要高电激活率,高迁率的n型薄层,本文研究了Si^+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量,注入和退火条件的关系,结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响。材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ga]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高。实验还证明,^29Si^+注入时BF^+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降,本文指出注入时剂量不宜过大