【摘 要】
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利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影
【出 处】
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内蒙古师范大学学报：自然科学汉文版
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利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率的影响.通过选择适当的沉积参数,得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc-Si:H薄膜材料,薄膜的暗电导为10-7S/cm量级,光电导与暗电导之比近似为2个量级,电导激活能为0.52eV左右.所得的μc-Si:H薄膜材料稳定性好,达到了器件级质量.
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