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本文不同的温度下制备多孔硅。通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性。研究结果表明存在着一个制备临界温度343K，当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时，多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移，同时硅2p电子结合能也从减小转向增大。
制备温度对多孔硅光学特性的影响
【摘 要】
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本文不同的温度下制备多孔硅。通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性。研究结果表明存在着一个制备临界温度343K，当制备温度从临界温度之下提高
【机 构】
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华东师范大学物理系纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2009年2期
【基金项目】
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Shanghai Natural Science Foundation （ No. 07ZR14033）, Shanghai Pujiang Program （ No. 08PJ14043 ）, Special Project for Nanotechology of shanghai （No. 0752nm011 ）, and Applied Materials Shanghai Researc
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