激光晶体MgO:Ni^2+的DV-X_x研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：clvic

【摘要】

：

本文将我们提出的一种在DV-X_α计算过渡金属络合物电子结构的基础上计算光谱的方法用于激光晶体MgO:Ni~(2+)的研究.首次从第一性原理出发,全面计算了该激光晶体的单电子能谱

【作者】

：

杨金龙夏一达

【机构】

：

中国科技大学基础物理中心,中国科技大学物理系,中国科技大学基础物理中心国际材料物理中心,国际材料物理中心,国际材料物理中心

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

1991年2期

【关键词】

：

激光晶体 MgO:Ni^2+ DV-Xa计算

【基金项目】

：

国家科学基金

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

本文将我们提出的一种在DV-X_α计算过渡金属络合物电子结构的基础上计算光谱的方法用于激光晶体MgO:Ni~(2+)的研究.首次从第一性原理出发,全面计算了该激光晶体的单电子能谱、总态密度、自旋极化分裂、电荷转移跃迁能量、特别是d-d跃迁多重光谱项能量和自旋一轨道耦合常数,得到了与实验值较一致的结果.

其他文献

Ba2RV3O11（R=Y,Gd,La）：Eu^3＋（或Dy^3＋,Bi^3＋）的合成及发光性能的研究

本文报导了Eu~(3+),Dy~(3+)在Ba_2RV_3O_(11)(R=Y,Gd,La)基质中的光谱性质、Bi~(3+)对Dy~(3+)发射强度的影响及温度对Dy~(3+)发射强度的猝灭情况.研究了被取代离子R~(3+)(R=Y

期刊

钒酸盐铕Di铋光谱稀土离子

GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究

本文测量了ＧａＰ纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱，观测到许多重叠的宽带发光。按高斯线型对光谱进行拟合，将其分解为６个发光谱峰，讨论了这些深能级发光的来源和它们

期刊

近红外发光发光二极管磷化镓near-infrared electroluminescence deep level light-emitting di

协同发光效应及机理探讨

在研究共存离子对稀土配合物荧光强度影响时发现,许多稀土和非稀土离子在一定浓度范围内可对配合物的荧光产生增强效应.这种现象与协同萃取类似,我们将其命名为“协同发光效

期刊

荧光分析稀土族协同效应发光synergistic luminescence effect rare earth fluorimetry

Diamine的光,电性质及其在有机薄膜电致发光器件中的应用

合成了芳香族二胺类衍生物(diamine),测定了它的光、电性质.制备了diamine作为空穴传输层的二层结构有机薄膜电致发光器件,使器件的发光亮度相对单层器件有了很大的提高.并用

期刊

有机发光薄膜电致发光二胺organic luminescenceelectroluminescence carrier transportation

Eu（MFA）3bpy配合物的表征和荧光光谱

本文报道了Eu(MFA)_3bpy(MFA:对甲氧基苯甲酰呋喃甲酰甲烷,bpy:2.2’-联吡啶)配合物的合成并以元素分析、红外光谱、拉曼光谱和质子核磁共振谱进行了表征.在77K测定了配合物

期刊

铕离子发光荧光光谱络合物

极性半导体的表面电子

有不少的极性半导休,电子与表面声学声子和体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声手的耦台强.本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声予的影响,研究这类半导体

期刊

极性表面电子半导体材料耦合polar semiconductor surface electrons effective bamiltonian

KNbO3：Fe晶体的最佳二波耦合

本文在分析光折变晶体KNbO_3:Fe的最佳二波耦合条件的基础上,通过计算和实验研究了晶体KNbO_3:Fe的二波耦合增益系数Γ与两光束的夹角2θ、光栅矢量的取向β及不同电光系数r5

期刊

KNbO3:Fe晶体二波耦合

X射线辐照后BaFC1中缺陷性质的研究

未掺Eu~(2+)的BaFCl粉末样品在80K下经X射线辐照后,在不同的温度条件下(从80K副273K),用580nm的光波激励样品时观测到310nm和380nm的发光峰.经分析认为,样品经X射线辐照后,在

期刊

晶体氟化钡缺陷发光X辐射辐照X-ray exposure F-H center pair self-trapped excitons

聚吡咯电化学掺杂过程的拉曼光谱研究

<正> 共轭导电聚合物经过掺杂,电导率可以提高十几个数量级,由绝缘体变为导体.但是,掺杂对聚合物链结构的影响方面,人们目前尚所知甚少.从实验的角度看,由于物性测量结果和材

期刊

聚吡咯电化学过程掺杂散射谱

VPEZnSxSe12—x外延膜中的自发和受激辐射

本文首次报道了VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex—Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex—Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光

期刊

ZnSxSe1-x外延膜辐射

激光晶体MgO:Ni^2+的DV-X_x研究

与本文相关的学术论文