磷化镓相关论文
光学整流效应是产生宽带太赫兹波最有效的手段之一，基于光学整流效应产生太赫兹波的方法主要依靠抽运光与非线性晶体之间的相互作用......
采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响,并利用原子......
半导体材料的快速发展及应用使得人类进入了信息时代,信息量的急剧膨胀和信息的快速处理与传递正在经济、科技、军事等领域引起深......
光电化学制氢是利用太阳能的有效方式之一。在各种光电催化活性材料中,Ga P具有合适的能带位置和较小的带隙宽度等优点,是非常有前......
本文采用两步溶剂热的方法合成了具有核壳结构的GaP/GaN纳米异质材料.并对异质结构材料的光学性质做了初步的研究.GaP和GaN都是重......
纳米材料是指在三维空间至少有一维处于纳米尺寸范围或由它们作为基本单元构成的材料.纳米材料不仅在诸多领域具有潜在的技术应用......
该文在Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的新合成路线方面进行了一些有益的探讨，开发出了包括常温常压有机溶剂中的离子交换反应、溶剂热条件......
吸附是固体表面最重要的特征之一，在固态晶体表面上，原子或分子的力场是不饱和的，固体表面的分子或原子具有剩余的力场，清洁的固体表面......
硅基光探测器在相当多的领域都很有用,它为用户还提供了许多选择,可以通过定制其性能来适应用户的设计rn光传感器,也称为光探测器,......
在低温 ( 80～ 1 0 0℃ )常压下用Na3P分别和GaCl3,InCl3反应制备了GaP ,InP纳米材料 ,对材料的物相结构和微观形貌进行了表征 .研究......
以GaCl_3和Na_3P为原料,利用苯热合成方法,在相同的温度、不同的反应时间下制备GaP纳米粒子.由分散在苯中的GaP纳米粒子的吸收光谱......
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响.结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级......
介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法，实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌，结果给出不同参数下的光强和光辐射......
利用Raman光谱对结晶紫（Crystal Violet,CV）在纳米磷化镓（GaP）粉体表面的吸附状态进行了分析。结果表明：与普通拉曼散射谱（Normal Raman ......
利用电子顺磁共振(EPR)技术对纳米GaP粉体材料的本征点缺陷进行了研究, 结果表明: 由EPR信息的g因子值(2.0027±0.0004)可以确......
通过测量纳米磷化镓(GaP)粉体在紫外可见光波段(200-800nm)的反射光谱,运用三流理论由反射光谱计算出纳米GaP粉体的吸收系数(Ea)和......
利用表面增强拉曼光谱,初步确定了吸附于纳米磷化镓(GaP)粉体表面的碱性品红分子的取向.在295K时,将50 mg GaP粉体分别置于50 ml,4......
利用纳米GaP固体材料拉曼光谱的类横向光学模峰移(ΔωTO)对其均方根键角畸变(Δθ)和平均键畸变能(Uθ)进行了计算.计算结果表明:......
利用Raman光谱对还原氮后的纳米磷化镓(GaP)粉体进行了表征。结果表明：纳米GaP粉体表面含有Ga-O，P-O和H-O化学键。此外，进行氮还原过......
本文中，对吸附于纳米磷化镓（GaP）粉体表面的碱性品红拉曼光谱进行了研究。通过将吸附碱性品红与纯碱性品红晶体样品的拉曼光谱进行对......
利用Raman光谱并结合能量色散X射线显微分析（EDX）和X射线衍射图谱（XRD）对混杂于纳米磷化镓粉体内的石墨和金刚石纳米微晶进行了分析。......
基于第一性原理的密度泛函理论，分析了覆盖度为1ML（monolayer）的硫吸附在磷截止和镓截止的GaP（001）（1×2）表面的结构和电学属性。能量......
利用扫描电子显微镜研究ＧａＰ：Ｎ ＬＰＥ材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态，结果发现：样品经外延后，外延层的位错密度比衬底的位错密度有不同......
前不久,瑞士科学家成功研发一种类似航天器使用、号称为多接点的太阳能电池。此电池采用不同的材料,如砷化镓和磷化镓铟,能从更宽......
The unexplored terahertz (THz) region involves important phenomena of both fundamental and applied natures. Examples inc......
美国可再生能源实验室新研制了多接点太阳能电池,电池的接点材料包括磷化镓-铟、砷化镓和两种砷化镓-铟。这一多接点太阳能电池可......
用微波水热方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响.结果表明:在微波水热条件下,......
为针对提高太赫兹波透射率的需求，开展基于离子注入表面改性的脆性材料微结构超精密加工技术的研究，并将其应用于太赫兹波产生用磷化......
The main aim of this paper is to discuss the confinement effects on the optical and acoustic phonon vibrational modes in......
发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当其中的电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极......
利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混......
超快THz技术有望在未来的基础科学研究、国土安全和生物医疗等众多领域发挥重要作用,而紧凑、稳定的高功率超快THz辐射源则是实现......
深入研究了GaP材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,......
本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米......
太赫兹辐射在生物医学检测、物质识别以及空间通信等领域的优越特性渐渐引起人们的兴趣，而高质量的太赫兹源是所有研究与应用的基础......
利用表面增强拉曼光谱,初步确定了吸附于纳米磷化镓(GaP)粉体表面的碱性品红分子的取向。在295K时,将50 mg GaP粉体分别置于50 ml,......
在众多实现太赫兹辐射的方法中,非线性光学共线差频能够实现高功率、宽波段、连续可调谐的太赫兹波辐射.理论分析表明,各向同性磷......
四元系AlGaInP半导体材料具有直接宽带隙，且此材料的发光波段可覆盖从红光到黄绿光的可见波段，所以由AlGaInP半导体材料制成的高亮度......
四元系AlGaInP是一种具有直接宽带隙的半导体材料,已广泛应用于多种光电子器件的制备。由于材料发光波段可以覆盖可见光的红光到黄......
本论文主要讨论2°GaAs衬底如何生长高质量GaP外延层。研究了GaP在GaAs衬底上的MOCVD生长和性质表征,主要包括GaP作为电流扩展层存......
学位
【正】2014年10月7日,诺贝尔官方网站公布,赤崎勇、天野浩和中村修二因发明"高亮度蓝色发光二极管"获得2014年诺贝尔物理学奖.发光......
