【摘 要】
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采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段(2.6GHz~3.6GHz)有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式,具有较大的变频增益和高的隔离度,同时将补偿放大器与变频
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采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段(2.6GHz~3.6GHz)有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式,具有较大的变频增益和高的隔离度,同时将补偿放大器与变频器结合在一起,提高了单元电路的集成度。本文着重介绍了建模分析和应用ADS软件进行仿真优化。测试结果;输入LO和RF,LO和IF的隔离度都大于50dB,变频增益大于12dB。
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