用测试图形和正方阵列机械四探针研究硅单晶电阻率的均匀性

来源 :上海金属.有色分册 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lw8307817
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本文讨论了平面四探针测试结构的设计及在测量硅单晶电阻率时应注意之处。测量结果与自制的正方阵列机械四探针及其他单位所用的直线阵列四探针的测量结果进行了比较;平面四探针测试结构宜于测量微区的电阻率,而带有数字显示正方阵列四探针则具有迅速直读的优点。用上述方法测量了一些硅单晶电阻率的均匀度。
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