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Influence of Iodine Pressure on the Growth of CuIn<sub>1-x</sub>Ga&l

来源 :凝固态物理国际期刊(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户：aaavvv001

【摘要】

：

We present the results concerning photovoltaic materials CuIn1-xGaxSe2 thin films, which were obtained by close-spaced vapor transport “CSVT”. The influence o

【作者】

：

Dayane Habib Roy Al Asmar Ziad

【机构】

：

DepartmentofPhysics,DepartmentofPhysics,CentreElectroniqueetMicro-Opto-é,lectroniquedeMontpellie

【出处】

：

凝固态物理国际期刊(英文)

【发表日期】

：

2013年4期

【关键词】

：

Chemical Vapor Deposition CuIn1-xGaxSe2 Thin Films CHALCOPYRITE Photovoltaic Che

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We present the results concerning photovoltaic materials CuIn1-xGaxSe2 thin films, which were obtained by close-spaced vapor transport “CSVT”. The influence of the iodine pressure on the growth of CuIn1-xGaxSe2 thin films was studied. The thin films were

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