【摘 要】
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针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS（简称HV MOS）晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测
【机 构】
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华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系,上海集成电路研发中心
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针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS（简称HV MOS）晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ
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