【摘 要】
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用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~(-3)
【机 构】
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用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10~(-4)Ω·cm~(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。
The basic properties of the metal-semiconductor layers formed by Au / Zn / AuSb multi-layer metal structure and p-GaP alloyed at 525 ℃ for 4 min were studied by SEM, AES and XRD. When the p-type hole density of GaP is 5 × 1.0 ~ (18) cm ~ (-3), its specific contact resistance is 4 × 10 -4 Ω · cm -2. It is one order of magnitude lower than the contact resistance of the AuZn alloy, resulting in a good metal-semiconductor ohmic contact.
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