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采用新型C3M0120090D型碳化硅（Sic）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）片，以三相H桥逆变器拓扑结构为基础，通过研究分析逆变器工作原理，从而研究了电压电流解耦控制。通过对C3M0120090D型SiCMOSFET芯片研究设计出新型SiC芯片驱动电路，通过搭建600W三相H桥逆变实验平台，验证了SiCMOSFET芯片工作可行性与可靠性，且通过红外温度测量仪观测出带载工作时芯片温度与室温相近，验证了SiCMOSFET芯片工作的高效性。