【摘 要】
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研究了氮气压力对自蔓延高温合成AlN的影响和后烧机理.结果表明,自蔓延高温合成AlN的生长机制为气相-晶体(Vapor-Crystal,VC)机制.气相沉积的台阶平面为AlN的基面({0001)面).
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研究了氮气压力对自蔓延高温合成AlN的影响和后烧机理.结果表明,自蔓延高温合成AlN的生长机制为气相-晶体(Vapor-Crystal,VC)机制.气相沉积的台阶平面为AlN的基面({0001)面).为了降低表面能,生长台阶必须以六棱柱形态形核.在后烧阶段,AlN颗粒中心的小台阶被重新"蒸发",并沉积到远离中心的大台阶上,使AlN颗粒棱角分明,形状规则.随着氮气压力的增加,燃烧温度逐渐提高,后烧的时间缩短.
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