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高速电子迁移率晶体管HEMT是一种异质结场效应晶体管,具有高载流子速度和较大的击穿电场的优点。HEMT可应用于逻辑电路、模拟电路和微波电路,是高速低功耗VLSI的理想器件。本论文就Ga As基HEMT工作原理、器件结构的改进等方面做出简单介绍和分析。
GaAs基HEMT发展简介
【摘 要】
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高速电子迁移率晶体管HEMT是一种异质结场效应晶体管,具有高载流子速度和较大的击穿电场的优点。HEMT可应用于逻辑电路、模拟电路和微波电路,是高速低功耗VLSI的理想器件。本
【机 构】
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杭州电子科技大学
【出 处】
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电子制作
【发表日期】
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2014年21期
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