【摘 要】
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真空场发射三极管（VFET）是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点。本文介绍了国内外VFET的研究进展,提出了一种平面底栅型V
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目-纳米缝隙场发射真空晶体管结构与特性研究(项目编号:61771383)
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真空场发射三极管（VFET）是一种真空微电子器件,采用纳米缝隙真空沟道实现电子的传输,兼具真空管和半导体晶体管的优点。本文介绍了国内外VFET的研究进展,提出了一种平面底栅型VFET结构,对其电子发射特性和栅极调制特性进行研究。结果表明,三极管真空沟道中的电子发射为场致电子发射,栅极具有调制作用。所制备的VFET可在0.1Pa条件下工作,如进一步减小真空沟道尺寸,有望实现大气环境下工作,展现出潜在的发展前景。
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