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采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了单层MoS2的能带结构、电子态密度和光学性质。计算结果表明单层MoS2是直接带隙半导体材料,禁带宽度为1.63 e V,静态介电值为4.7,具有良好的紫外光吸收特性,研究结果为制备紫外光器件提供了理论基础。
单层MoS2的电子结构和光学性质研究
【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了单层MoS2的能带结构、电子态密度和光学性质。计算结果表明单层MoS2是直接带隙半导体材料,禁带宽度为1.63 e V,静态介电值为4.7,具
【机 构】
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延安大学物理与电子信息学院
【出 处】
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延安大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2017年2期
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