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本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Si单晶中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的沉淀行为.发现尽管在Si中Cu杂质浓度远高于Fe杂质,但Cu杂质不沉淀在Frank型位错上,而Fe杂质会沾污Frank型位错.研究结果表明,样品中微小Punched-out位错的存在和Cu杂质在Si中的重复成核机制是Cu杂质不沉淀在Frank型位错上的主要原因.