【摘 要】
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基于等离子体双极漂移模型，得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管（RSD）的dⅠ／dt耐量解析表达式，分析了RSD的主放电回路模型，在此基础上讨论了影响RSD的dⅠ／dt特性的因素，dⅠ／dt
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,襄樊台基半导体有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50277016,50577028）,高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（20050487044）.
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基于等离子体双极漂移模型，得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管（RSD）的dⅠ／dt耐量解析表达式，分析了RSD的主放电回路模型，在此基础上讨论了影响RSD的dⅠ／dt特性的因素，dⅠ／dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大，随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大．RSD的dⅠ／dt耐量可达1×10^5A·μs^-1，远高于普通晶闸管，可应用于短脉冲大电流领域．
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