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采用RF溅射制备出Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜，剥离法制备出UFPA器件单元所需的图形化金属电极，TMAH溶液进行体硅腐蚀，并且使用保护胶和独特的夹具保护硅片正面免受腐蚀液的腐蚀。总结了一套制作微桥的简便可行的工艺流程，并最终在厚度为300μm的硅基片上成功的制备了厚度小于3μm的面积为100μm×100μm的微桥单元结构。该微桥单元可以满足制备热释电薄膜单片式UFPA器件的要求。