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报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。
7.5～9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管
【摘 要】
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报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院微电子学四川省重点实验室单片集成电路及模块国家重点实验室南京电子器件研究所四川大学物理科学与技术学院微电子学四川省重点实验室成都610064单片集成电路及模块国家重点实验室南
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2007年2期
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