用于n/γ混合场测量的涂硼电离室研制

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研制了一种能同时测量混合场中γ和中子注量率的涂硼电离室,并实验测试了其性能。涂硼电离室由两个大小和结构一致的腔室组成:1个仅对γ灵敏,另1个对γ与中子均灵敏。用强度为2.7×10_7 s-1的Am—Be源测得电离室的中子灵敏度达9.2×10_16 A/(cm-2·S-1),在剂量率为5.24 μOy/h的137_Cs7场中,电离室的了灵敏度达7.36×10-16 A/(MeV·cm-2·s-1)。涂硼电离室Ⅰ-Ⅴ曲线坪长为600V,坪斜小于4%/
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