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在Cu重掺杂量摩尔数为0．02778—0．16667的范围内，对zn0掺杂体系磁电性能影响的第一性原理研究鲜见报道．采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法，用第一性原理计算了两种不同Cu单掺杂量Zn1-xCuxO（x=0．02778，0．03125）超胞的能带结构分布和态密度分布．结果表明，掺杂体系是半金属化的稀磁半导体；Cu掺杂量越增加、相对自由空穴浓度越增加、空穴有效质量越减小、电子迁移率越减小、电子电导率越增加．此结果利用电离能和Bohr半径进一步获得了证明，计算结果与实验结果相符合．在限定的