Cu掺杂ZnO稀磁半导体磁电性能影响的模拟计算

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在Cu重掺杂量摩尔数为0.02778—0.16667的范围内,对zn0掺杂体系磁电性能影响的第一性原理研究鲜见报道.采用基于自旋密度泛函理论的平面波超软赝势方法,用第一性原理计算了两种不同Cu单掺杂量Zn1-xCuxO(x=0.02778,0.03125)超胞的能带结构分布和态密度分布.结果表明,掺杂体系是半金属化的稀磁半导体;Cu掺杂量越增加、相对自由空穴浓度越增加、空穴有效质量越减小、电子迁移率越减小、电子电导率越增加.此结果利用电离能和Bohr半径进一步获得了证明,计算结果与实验结果相符合.在限定的
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