【摘 要】
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采用磁控溅射技术,在Si（100）衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品。用室温光致发光（PL）、Raman散射和AFM图谱对样品进行表征。结果表明：Ge/Si多层膜中的PL
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采用磁控溅射技术,在Si（100）衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品。用室温光致发光（PL）、Raman散射和AFM图谱对样品进行表征。结果表明：Ge/Si多层膜中的PL发光峰主要来自于Ge晶粒,并且Ge晶粒生长的均匀性对PL发光影响较大,生长均匀的Ge晶粒中量子限域效应明显,随着晶粒的减小,PL发光主峰发生蓝移;在Ge晶粒均匀性较差时,PL发光峰强度较弱,量子限域效应不明显。
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