【摘 要】
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采用磁控溅射Cu、Sn、Zn金属单质靶制备铜锌锡（CZT）金属预制层,在220℃下合金,然后在高温610℃硫化配合低速升温工艺对CZT前驱体进行退火,制备出晶粒尺寸为1-2μm的Cu2ZnSnS4（CZ
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61176127,61006085,11474248）, 国家国际科技合作计划重点资助项目（2011DFA62380）.
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采用磁控溅射Cu、Sn、Zn金属单质靶制备铜锌锡（CZT）金属预制层,在220℃下合金,然后在高温610℃硫化配合低速升温工艺对CZT前驱体进行退火,制备出晶粒尺寸为1-2μm的Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜.利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）对薄膜样品进行结构、表面形貌和组分表征.最后沉积缓冲层、ZnO窗口层,蒸镀Al电极,制备出CZTS薄膜太阳电池,测量得到电池开路电压（Voc）为574 mV,短路电流密度（Jsc）为8.98 mA/cm^2,填充因子（FF）为37.
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