CZTS薄膜相关论文
铜锌锡硫（CZTS）薄膜具有原料丰富、无毒、成本低、光学带隙适中（1.4～1.5eV）、吸收系数高(≥10~4cm-1)等优点,被认为是一种理想的太阳能......
随着科技的进步和社会的发展,人类对于能源的需求越来越大,传统化石能源的弊端与日俱增,极大地推动了人们作新能源领域的探索。近......
四元化合物铜锌锡硫（Cu2ZnSn S4,简称CZTS）近年来成为一种非常有望替代传统Cu（In,Ga）Se2的薄膜太阳能电池吸收层材料。CZTS薄膜的四种......
近些年来,我国经济发展突飞猛涨并一直保持强劲的增长势头,但化石燃料的大量使用也产生了严重的环境问题,温室效应、雾霾已经严重......
Cu2ZnSnS4(简称CZTS)基薄膜太阳电池因其具有优异性能,并含有地球中含量丰富元素Zn,Sn,因此引起了越来越多研究者的重视。CZTS薄膜......
随着经济的快速发展,人类社会对能源的需求也日益增加。随着传统化石能源的大量开发和利用,不可再生资源的枯竭以及严重的环境污染......
采用磁控溅射Cu、Sn、Zn金属单质靶制备铜锌锡（CZT）金属预制层,在220℃下合金,然后在高温610℃硫化配合低速升温工艺对CZT前驱体进行......
文章采用溶胶-凝胶法（sol-gel法）制备Cu2（Cd,Zn）SnS4（CCZTS）薄膜,研究不同Cd/Zn成分比对CCZTS薄膜性能的影响。研究结果表明,Cd的掺入导......
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳电池是在Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池基础上发展而来的新型化合物半导体光伏器件。由于CZTS不含有稀......
研究了叠层顺序对磁控溅射沉积铜锌踢硫（CZTS）吸收层的微观结构、表面形貌和光学性能的影响. 试验结果表明：当预制层结构为Cu/ZnS/SnS......
采用单质靶磁控溅射制备Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜,研究了薄膜的元素组分、升温速率、硫化温度对薄膜表面平整性以及晶粒尺寸的影响。通过......
Zn(O,S)薄膜是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,它的带隙约为2.6eV-3.6 eV。它可以通过调节氧和硫的原子成分来控制自身的禁带......
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)因具有较高的吸收系数(>104cm-1)、理想的直接带隙(1.4-1.5eV)、环境友好等优点,被认为是最有前途的太阳......
Cu2ZnSnS4（CZTS）具有与太阳光谱非常匹配的禁带宽度以及高的吸收系数,这使得CZTS薄膜成为一种最具潜力的新型太阳能电池薄膜吸收层材......
CZTS薄膜材料具有很多与现实需求匹配的优点,在众多的太阳能电池材料中脱颖而出。CZTS薄膜材料为直接带隙半导体,导电类型为P型,禁......
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜太阳能电池的组成元素含量丰富、廉价、无毒,是太阳能电池领域的研究热点,理论预测Cu2ZnSnS4(CZTS)四元化合物......
近年来太阳能光伏发电在全球范围内得到了迅速发展。薄膜太阳能电池因为具有成本低、质量轻并且可柔性化等优点在太阳能电池中占有......
学位
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)是一种极具潜力的薄膜太阳能电池吸收层材料,具有转换效率高、原材料来源广泛且价格低廉和环境友好等一......
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)是四元12-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4族化合物半导体,其原料储量丰富成本低；吸收系数大于1×104cm-1；禁带宽度为1.50 eV；理论......
