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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法（DMOL3程序），在广义梯度近似（GGA）下，计算了硅纳米晶（Si75 H76）在B和P掺杂和乙基（-C H2 C H3）、异丙基（-C H （C H3）2）表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明：掺杂对体系的禁带宽度（约3.12 eV ）几乎没有影响，但会引入带隙态；三配位的B掺杂，在禁带中靠近导带约0.8 eV位置引入带隙态，三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2 eV位置引入带隙态；四配位的B掺杂，在禁带中靠近价带约0.4 eV位置引入带隙态，四配位