论文部分内容阅读
采用电沉积法对自制大深径比盲孔（直径7．7～7．8μm，深度78μm）多孔硅进行金属钯填充。镀液组成和工艺条件为：PdCl2 8．8g／L，KCl 15．0g／L，NH3·H2O 50mL／L，乙醇和水各50％（体积分数），pH8～9，电压15V，电流1．5mA，惰性气体搅拌，时间17h。采用扫描电镜和能谱仪分析了钯在多孔硅中的填充情况。结果表明，金属钯在多孔硅盲孔中实现了满载填充，并在孔的外表面也有沉积。本工艺镀液组成简单，为制备三维硅基氚电池提供了技术基础。