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提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管（poly—SiTFTs）的电流和电容分析模型．采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化，从而大大地提高了上述模型的计算效率．基于表面势的解析计算和薄层电荷方法，提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型．同时，文中还提出了基于电荷的电容模型．电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的，不需要没有物理意义的光滑处理．与实验数据的比较发现，模型和实验数据符合得较好，这也证明了所提出模型的准确性．并且，该模型适用于电路仿真器．