多晶硅薄膜晶体管相关论文
多晶硅薄膜晶体管被广泛应用于各类电子产品,所具有的较好电学特性与低廉造价使其备受追捧。但由于Poly-Si TFT晶界间存在离散分布......
该文以a-Si薄膜的低温、快速晶化为目标,从实验和理论上开展了深入的研究.着重深入研究了Al诱导横向晶化的p-Si薄膜的形貌、微结与......
多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)在有源矩阵液晶显示(AMLCD)和静态随机存取存储器等应用中发挥越来越重要的作用。Poly-Si TFT较单......
讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄......
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素......
提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高......
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过......
二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径。首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管（TFT），并完整地考虑晶......
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能......
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流， 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果， 使漏极电流降低到10-11A量级， ......
低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比,制作工艺简单,而且提高了场效应迁移率和漏......
利用Tsuprem4和Medici软件，研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数，如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响，得到了它们之间的关系......
从准二维泊松方程出发，结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论，建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流方......
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考......
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因，本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构，它可以......
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置.为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示......
1引言多晶硅薄膜晶体管（P-SiTFT）在有源LCD和有源OLED中都有重要应用。在有源LCD中，a-SiTFT LCD目前占据绝大部分市场，尤其在大尺寸液......
显式地推导多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon thin-film transistors，poly-Si TFT）表面势隐含方程的近似解，该求解法非迭代的计算大大地提......
讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自......
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢......
本文利用薄层电荷理论，建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon Thin-Film Transistors，poly-Si TFTs）的电流模......
多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFTs）技术在SOP（system on panel）显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小，P-SiTFT的Kink效应越......
随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提......
提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区。并利用......
泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题，多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意......
低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面，研究了热载流子（HC）应力下，N型金属诱导横向结晶（MILC） LTPST ......
显示技术从过去的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示,已经发展到现在成熟的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liqui......
从kink效应产生的物理机理出发，介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法．一种是基于面电荷的方法，另一种......
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型，考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法......
介绍了多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFTs）中的带间隧穿（BBT）效应的产生机理，分析了BBT对P—Si TFT电流特性的影响，总结了关于P-Si FTF带间隧穿......
该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构，Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸......
多晶硅薄膜晶体管具有缺陷态少、迁移率高、均匀性好和可低温制备等优点,在有源液晶显示领域中获得了广泛的应用。围绕p沟道poly-S......
随着多晶硅薄膜晶体管（TFT）技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为......
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管（poly—SiTFTs）的电流和电容分析模型．采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随......
随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高，其应用也日益广泛，特别是在有源液晶显示器，以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速．对......
1 α-Si薄膜激光退火多晶硅薄膜是制造高迁移率薄膜半导体（TFT）的材料，TFT又是制造平面显示屏的关键元件。因而如何使非晶硅（α-Si）转变......
基于Tsuprem4和Medici模拟软件，研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0．07μm时，碰撞......
近年来,随着多晶硅薄膜晶体管（poly-Si Thin Film Transistor:TFT）技术的不断发展,其应用也越来越广泛,并被视为a-Si薄膜晶体管的理......
多晶硅薄膜晶体管(TFT: Thin Film Transistor)在液晶显示中的广泛应用,使其越来越受到重视。但是,目前多晶硅TFT的表征方法还主要......
为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各......
利用准分子激光退火(ELA)工艺制备多晶硅薄膜晶体管,多晶硅薄膜材料的形成受到激光能量密度的影响,包括缺陷的形成、少子的寿命以......
多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器、3D立体集成电路和静态RAM等领域有着广泛的应用。然而,随着器件沟道尺寸的进一步缩小,器......
本文主要建立了一个新的关于多晶硅薄膜晶体管的1/f噪声模型。不同于之前的噪声模型，该模型充分考虑了多晶硅晶粒间界的效应，认为多......
多晶硅薄膜晶体管技术在液晶显示器制造中扮演着很重要的角色,它增进了同时将有源矩阵及周边电路整合在一起的能力。然而,多晶硅薄......
阐明了有机电致发光（ＥＬ）显示器件的基本结构和工作机理，对比了无源矩阵和有源矩阵两种有机ＥＬ器件驱动方式，总结了有机ＥＬ器件的制作工艺。展示......
热载流子效应引起的器件电学特性退化会严重影响电路的工作性能。文章结合多晶硅薄膜晶体管沟道电流的理论模型,讨论了热载流子效......
本文通过对数据输入阶段的时序进行调整,改进了一种适用于低温多晶硅薄膜晶体管的电压编程型像素电路,用来得到稳定的驱动电流。该......
