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采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了闪锌矿型GaX（X=P，As，Sb）的电子结构和光学性质。计算结果表明：GaP属于间接带隙半导体，GaAs和GaSb属于直接带隙半导体，禁带宽度分别为1．629eV、0．612eV和O．079eV。经带隙校正后，计算得到闪锌矿型GaX（X=P，As，Sb）的复介电函数、复折射率、反射光谱和吸收光谱。随着X原子序数的增加，出现了明显的带边红移现象，为闪锌矿型GaX（X=P，As，Sb）的应用提供了理论依据。