【摘 要】
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采用化学气相沉积法制备了阵列碳纳米管薄膜,对阵列碳纳米管的石墨化程度进行了系统研究.利用扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱（Raman）对样品形貌以及结构进行了表征.探讨了不同实
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心,西南科技大学材料科学与工程学院
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采用化学气相沉积法制备了阵列碳纳米管薄膜,对阵列碳纳米管的石墨化程度进行了系统研究.利用扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱（Raman）对样品形貌以及结构进行了表征.探讨了不同实验参数对阵列碳纳米管石墨化程度影响的机理.结果发现,在一定催化剂浓度范围内,催化剂浓度过低时,阵列碳纳米管的石墨化程度较差,而随着催化剂浓度的增加,阵列碳纳米管的石墨化程度逐渐变好;生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管需要合适的进液速度,进液速度过低或过高都会使得碳纳米管的石墨化程度变差;此外,生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管也需要合
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