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建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型，并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟．研究了SIC CMOS反相器的温度特性，结果表明，室温下沟道长度为1.5μm的6H-SIC CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1．657，3．156和1．470V，且随着温度的升高而减小．