多层锗量子点相关论文
利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了4层Ge/Si量子点样品。通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分......
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为了比较研究退火效应对多层锗量子点光致发光(PL)的影响,我们利用固源分子束外延设备在550 ℃的生长温度下,在Si(001) 衬底上生长......
用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点．分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子......
