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综述了SnO2基稀释磁性半导体（SnO2-DMS）磁性的实验研究进展，包括3d过渡金属离子掺杂和非磁性离子掺杂；归纳了SnO2—DMS的磁性与掺杂离子浓度、基底材料、样品形态的关系，并指出本征缺陷对磁性的贡献毋庸置疑，而掺杂离子的作用还存在争议；简单介绍了F心交换模型。
二氧化锡基稀释磁性半导体的磁性
【摘 要】
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综述了SnO2基稀释磁性半导体（SnO2-DMS）磁性的实验研究进展，包括3d过渡金属离子掺杂和非磁性离子掺杂；归纳了SnO2—DMS的磁性与掺杂离子浓度、基底材料、样品形态的关系，并指出本
【机 构】
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电子科技大学应用物理系
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2012年1期
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