论文部分内容阅读
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω（002）面扫描曲线半高宽为97“,ω（102）面扫描曲线半高宽为870”,Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω（002）面扫描曲线半高宽为240“;使用原子力显微镜（AFM）对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度