ALGAN相关论文
AlGaN是一种直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度随铝组分变化从3.4 e V至6.2 e V连续可调,覆盖200-365nm波段,能够实现日盲紫外光本......
AlGaN基LED芯片是新一代固态光源,具有节能、寿命长、用途广泛、波长从深紫外到蓝光波段连续可调等优势,可用于医疗消毒、工业固化......
随着半导体材料与器件的不断研究与发展,AlGaN基紫外发光二极管（light-emitting diode,LED）应用越来越广泛,在一些新领域也逐渐得到......
为提高紫外激光器的光电性能，降低阈值电流，提出采用Al组分渐变的量子垒层（QBs）以及Al组分渐变的n型波导层（n-WG）优化标准结构——参考实......
偏振紫外发光与探测在紫外偏振曝光、宇宙背景辐射探测、大气分析等特种应用领域有着重要的应用价值。非极性a面ZnO材料,一方面因......
作为第三代半导体的一员,AlGaN的研究和发展已取得重大进步,同时基于此材料的紫外探测器也得以空前发展。由于各类型AlGaN基紫外探......
21世纪,GaN基发光二极管（Light emitting diode,LED）的崛起毋庸置疑地改变着了人们的生活。与传统发光源相比,LED有着更小的体积,更......
垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点.氮化镓......
AlGaN基紫外LED作为新一代的紫外光源,具有波长连续可调的优势,可以满足现阶段各个领域对于紫外光波长的精准要求,有着节能、环境......
随着科技的不断进步,深紫外波段的半导体激光器有望应用于光存储、军事医疗、卫星通信、杀菌消毒、分析仪器等领域。在全球新冠疫......
AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调,覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段,是制备紫外短波长发光和探测器件不可......
第三代半导体中氮化铟（In N）、氮化镓（Ga N）、氮化铝（Al N）和由其组成的多元合金化合物等III族氮化物的研究最为广泛,该类材料统称为Ga N......
The AlGaN-based deep ultraviolet (DUV) light-emitting diode (LED) is an alternative DUV light source to replace traditio......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
AlGaN材料是一种直接带隙第三代宽禁带半导体材料，其禁带宽度可通过改变AlGaN材料中Al元素的掺入量从3.4eV到6.2eV连续可调，是当前制......
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)具有低电压，全固态，耐冲击，耐高温，抗辐射，高效率，响应快，长寿命，无毒环保和光谱连续可调等特点，在紫外消......
血糖对人体健康非常重要。急性低血糖会危及生命，高血糖会出现多种并发症，对人体的许多器官会有严重的损害。因全球迅猛增加的糖尿病......
氮化物紫外LED的发光波长覆盖210~400 nm的紫外波段,可广泛应用于工业、环境、医疗和生化探测等领域。近年来紫外LED的技术水平发......
半导体量子阱（QW）次带间跃迁（ISB-T）有超快弛豫时间、大跃迁偶极矩和跃迁波长可调谐性大等优点。在级联激光器、光电探测器和光学开关......
目前信息的光和磁光记录与读出系统是非常重要的产品，它占高速增长的半导体激光市场的五分之一（2000年为60亿美元，增长率为108%）。这部......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
据《i-Micronews》May25th.2010报道,德国Fraunhofer大学采用390μm的SiC衬底开发了Ka波段AlGaN/GaN HEMT大功率MMIC。该HPA MMIC......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
研究了溶液表面处理对AlGaN欧姆接触的影响及机理。用氟硝酸(HNO3+HF)、稀盐酸(HCl)和硫代乙酰胺(CS3CSNH2)溶液处理AlGaN表面后,T......
在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处......
在已有理论基础之上,采用严格的计算方法对激光器实现太赫兹(THz)波的辐射进行了可能性分析。利用传递矩阵法,通过Matlab软件计算......
对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相......
对比研究了SiO2、聚酰亚胺薄膜、SiNx/旋涂玻璃(SOG)复合材料等钝化材料对倒装焊深紫外LED器件抑制漏电流恶化、改善器件可靠性的......
N极性GaN材料借助与传统Ga极性GaN极性相反这一特征,以低接触电阻、高2DEG限阈性,在高频、大功率微波晶体管、增强型器件及传感器......
通过数值模拟研究了各层参数对极化调控的背入射异质结分离吸收倍增层型AlGaN基雪崩光电二极管（AP-Ds）性能的影响，并详细分析相关物理......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究......
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL......
0.25 m Ga N HEMT with Al Ga N back barrier for high power switch application has been presented. By introducing Al Ga N ......
A new 22-element small signal equivalent circuit model for the AlGaN/G N high electron mobility transistor(HEMT) is pres......
芬兰阿尔托大学和硅晶圆企业Okmetic公司合作,就以金属有机物气相外延(MOVPE)方式在6英寸绝缘体上硅(SOI)衬底上生长氮化镓(GaN)展......
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长......
近日,美国桑迪亚国家实验室研究人员展示了先进半导体材料制成的晶体管和二极管,性能远优于硅材料。这项突破朝着实现更紧凑、更高......
为了有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种新颖的具有倒梯矩形的电子阻挡层(EBL)结构.通过使用Crossli......
为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层......
近年来,基于高Al组分AlGaN及其低维量子结构的深紫外(DUV)短波长发光二极管(LED)引起了极大地关注,在日常照明、杀菌消毒、智能家......
因为Ⅲ族氮化物半导体有着其独特的物理化学特性,越来越受到科研人员广泛的关注,特别是因为其具备直接带隙、抗高压特性、电子飘逸......
为了研究多层结构高铝组分AlGaN薄膜材料的光学性能,并计算得到相关光学参数,本文基于多层膜传输矩阵方法,对两个样品的透射光谱进......
