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针对微机电系统(MEMS)绝缘体上硅(SOI)压力敏感芯片电阻条刻蚀过程中易损伤的问题,对敏感电阻条的刻蚀工艺进行优化设计,通过调整平板功率、气体流量比例等参数,最终找出最优的工艺参数,减少等离子体对敏感电阻条的侧向损伤,从而提高SOI压力敏感芯片的稳定性.
SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究
【摘 要】
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针对微机电系统(MEMS)绝缘体上硅(SOI)压力敏感芯片电阻条刻蚀过程中易损伤的问题,对敏感电阻条的刻蚀工艺进行优化设计,通过调整平板功率、气体流量比例等参数,最终找出最优的工艺参数,减少等离子体对敏感电阻条的侧向损伤,从而提高SOI压力敏感芯片的稳定性.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150028
【出 处】
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传感器与微系统
【发表日期】
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2022年3期
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