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利用射频反应磁控溅射设备在不同N2分压下制备了Zr-Si-N纳米复合薄膜。研究了N2分压对薄膜组织和性能的影响。结果表明：随着N2分压的增加，薄膜中Zr、Si元素含量比降低，且薄膜方电阻增加；Zr-Si-N薄膜的微观组织由纳米晶ZrN嵌入SiNx非晶基体构成，在低N2分压条件下，有少量Zr2Si形成。Zr2Si的形成与低N反应活性相关。在0．03PaN2分压条件下，Zr-Si—N薄膜硬度达到22．5GPa的最大值。高N2分压制备薄膜硬度较低可能与Si原子造成的晶格畸变相关。