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利用固体与分子经验电子理论EET和改进的TFD理论对银基锡氧化物增强电接触材料中存在的和可能存在的晶体结构进行价电子结构及部分晶面的电子密度计算，得到各异相界面结合因子，并且对可能存在的最佳界面结合方式进行预测，从而对常用的两种改善银基锡氧化物增强电接触材料的方法，即：第三相元素的添加和制备工艺的改善提出价电子结构方面的解释。