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制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨了d 影响ρ和AMR的微观机理.
种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响
【摘 要】
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制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨
【机 构】
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重庆邮电学院,西南师范大学,重庆邮电学院,中国科学院物理所国家磁性重点实验室
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2004年6期
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