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针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟，结果与实验吻合很好。此外，在模拟中将离子注入引入ＧＴＲ工艺，对改进ＧＴＲ工艺具有一定的参考价值。
大功率晶体管（GTR）工艺的计算机模拟
【摘 要】
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针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟，结果与实验吻合很好。此外，在模拟中将离子注
【机 构】
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西安理工大学微电子技术教研室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1996年2期
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