高功率无铝半导体激光器

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InGaAsP/GaAs激光器抑制暗线缺陷的形成,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明,高功率无铝半导体激光器比有铝AlGaA/GaAs激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点,介绍了波长为808nm的高功能无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况。
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